Analisa Matematik Karakteristik Detector Semikonduktor Silicon Tipe P sebagai Bahan Detector Partikel Radiasi Bermuatan

Abstract

Analisa Matemetik Karakteristik Detector Semikonduktor Silicon Tipe P Sebagai Bahan Detector Partikel Radiasi Bermuatan. Saat ini banyak alat pendeteksi radiasi partikel bermuatan dibuat oleh industry, khususnya industry yang bekerja dalam pengembangan peralatan dan komponen deteksi. Prinsip kerja detector semikonduktor dan detector gas isian adalah sama. Pada detektor tipe gas isian, ionisassi terbentuk pada tabung gas, sedangkan detektor semikonduktor ionisasi terbentuk pada lapisan intrinsic (terbentuk antara p dan n). Untuk membentuk lapisan intrinsic pada semikonduktor tipe P (mayoritas hole), bahan semikonduktor tipe p harus dikompensasi dengan material lithium (mayoritas electron), sehingga akan terbentuk lapisan p dan n, dengan metoda evaporasi dan doping (ion drift), proses pemasukkan  atom lithium ke dalam struktur ikatan kristal silicon. Proses pembuatan detektor semikonduktor telah dilakukan dan berhasil, tetapi analisa secara matematik belum dilakuakn.  Hasil akhir dari analisa matematis bertujuan meningkatkan  kualitas detektor semikonduktor.. Analisa matematik akan menjawab, bahwa, baik tidaknya detektor semikonduktor dalam bekerja (mencacah radiasi parikel bermuatan), bergantung dari kualitas doping dan kedalaman/lebar lapisan intrinsic. Pengembangan dan penelitian lebih lanjut akan di buat detector solid state dengan bahan semikonduktor tipe berbeda.